Solution-Processable LaTiO x-PVP as Silicon-Free Gate Dielectric at Low Temperature for High-Performance Organic-Inorganic Field Effect Transistors

نویسندگانH Najafi-Ashtiani, A Tavousi, A Ramzannezhad, A Rahdar
نشریهJournal of Electronic Materials
شماره صفحات1-8
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار2021
رتبه نشریهISI
نوع نشریهچاپی
کشور محل چاپایالات متحدهٔ امریکا
نمایه نشریهJCR

چکیده مقاله

لینک ثابت مقاله