Comparison between Si/SiO {sub 2} and InP/Al {sub 2} O {sub 3} based MOSFETs

نویسندگانH Arabshahi, MR Benam, A Vatan-Khahan, M Abedininia
نشریهJournal of Experimental and Theoretical Physics
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار2016
رتبه نشریهISI
نوع نشریهچاپی
کشور محل چاپایران

چکیده مقاله